类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

供应商器件包装

材料

终端数量

晶体管元件材料

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

厂商

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

ECCN 代码

端子表面处理

附加功能

子类别

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

通道数量

操作模式

功率 - 最大

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

极性/通道类型

JEDEC-95代码

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

信道型

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

场效应管特性

环境耗散-最大值

直径

IRHMS57260SE
IRHMS57260SE
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

44@12V

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

200

±20

45

165(Max)@12V

5295@25V

208000

50(Max)

125(Max)

80(Max)

35(Max)

-55

150

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

通孔

活跃

3

Single

N

IXTK5N250
IXTK5N250
Littelfuse 数据表

19 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8800@10V

Compliant

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

2500

±30

5

5

200

50

200@10V

200

8560@25V

960000

44

20

90

33

-55

150

通孔

26.16(Max)

5.13(Max)

19.96(Max)

3

Tab

TO-264

活跃

3

Single

N

IXTA08N50D2
IXTA08N50D2
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

500

±20

0.8(Min)

4600@0V

12.7@5V

312@25V

60000

52

54

35

28

-55

150

表面贴装

4.83(Max)

9.65(Max)

10.29(Max)

2

Tab

TO-263AA

活跃

3

Single

N

IXTT16N50D2
IXTT16N50D2
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-268-3

300@0V

TO-268

500 V

2 V

695 W

N-Channel

+ 150 C

- 20 V, + 20 V

- 55 C

SMD/SMT

199 nC

16 A

300 mOhms

符合免除

8541.29.00.95

有

有

无

无

功率MOSFET

Depletion

1

500

±20

199@5V

199

5250@25V

695000

220

173

203

50

-55

150

表面贴装

5.1(Max)

14(Max)

16.05(Max)

2

Tab

IXTT16N50

活跃

Si

3

Single

1 Channel

N

JANSR2N7468U2L
JANSR2N7468U2L
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

供应商未确认

无

无

60

75

2500000

表面贴装

3.07(Max)

17.65(Max)

13.46(Max)

3

SMD-2

活跃

3

N

JANSF2N7546U3
JANSF2N7546U3
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2.61(Max)

10.28(Max)

7.64(Max)

3

SMD-0.5

出口接触方式

无

无

表面贴装

活跃

3

IRHNA6S7160SCS_CDDATAPACK
IRHNA6S7160SCS_CDDATAPACK
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

±20

-55 to 150

56

10@12V

170(Max)@12V

8690@25V

250000

50(Max)

150(Max)

100(Max)

50(Max)

-55

150

表面贴装

3.07(Max)

17.65(Max)

13.46(Max)

3

SMD-2

供应商未确认

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

活跃

3

Single

N

AOT2146L
AOT2146L
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-220-3

TO-220

2.8@10V

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Compliant

EAR99

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

40

±20

42

[email protected]|50@10V

50

3830@20V

119000

9

12

44

12

-55

150

通孔

9.14

4.45

10.03

3

Tab

TO-220

Tape & Reel (TR)

AOT2146

42A (Ta), 105A (Tc)

4.5V, 10V

8.3W (Ta), 119W (Tc)

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

AlphaSGT™

活跃

MOSFET (Metal Oxide)

3

Single

N-Channel

2.8mOhm @ 20A, 10V

2.5V @ 250µA

3830 pF @ 20 V

70 nC @ 10 V

40 V

±20V

N

-

IRHNJ597034SCV
IRHNJ597034SCV
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

70@12V

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

30

±20

22

45(Max)@12V

1670@25V

75000

70(Max)

100(Max)

50(Max)

25(Max)

-55

150

表面贴装

2.61(Max)

10.28(Max)

7.64(Max)

3

SMD

SMD-0.5

No Lead

供应商未确认

出口接触方式

活跃

3

Single

P

IRHMS6S7264SCS_CDDATAPACK
IRHMS6S7264SCS_CDDATAPACK
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

13.84(Max)

3

Tab

TO-254AA

供应商未确认

无

无

250

45

2080000

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

活跃

3

N

IRHNA63160
IRHNA63160
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10@12V

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

56

170(Max)@10V

170(Max)

8690@25V

250000

20(Max)

75(Max)

75(Max)

35(Max)

-55

150

表面贴装

3.07(Max)

17.65(Max)

13.46(Max)

3

SMD

SMD-2

不合规

EAR99

活跃

3

Single

N

JANTXVR2N7473U2
JANTXVR2N7473U2
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

38@12V

出口接触方式

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

200

±20

-55 to 150

53.5

155(Max)

2500

50(Max)

125(Max)

80(Max)

35(Max)

-55

150

Military

活跃

Single

N

IXKR40N60C
IXKR40N60C
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

70@10V

符合免除

EAR99

8541.10.00.80

有

有

无

无

功率MOSFET

CoolMOS

Enhancement

1

600

±20

38

250@10V

250

10

30

110

20

-40

150

通孔

21.34(Max)

5.21(Max)

16.13(Max)

3

Tab

ISOPLUS 247

活跃

3

Single

N

2SK2605(Q.T)
2SK2605(Q.T)
Toshiba 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Si

2200@10V

功率MOSFET

pi-MOS III

Enhancement

1

800

±30

5

34@10V

34

1080@25V

45000

40

40

-55

150

通孔

15

4.5

10

3

Tab

TO-220

TO-220NIS

通孔

Compliant

EAR99

无

无

卷带

Obsolete

3

Single

N

IRHF7130
IRHF7130
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

3

SILICON

185@12V

TO-39

通孔

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

CYLINDRICAL

METAL

未说明

150 °C

无

IRHF7130

105 ns

ROUND

International Rectifier

1

Transferred

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

98 ns

7.69

BCY

8 A

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

100

±20

8

50(Max)@12V

1100@25V

25000

40(Max)

32(Max)

40(Max)

25(Max)

-55

150

通孔

4.54(Max)

3

TO-205-AF

e0

无

活跃

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

HIGH RELIABILITY

FET 通用电源

BOTTOM

WIRE

未说明

compliant

3

O-MBCY-W3

不合格

Single

增强型MOSFET

SWITCHING

N-CHANNEL

TO-205AF

8 A

0.185 Ω

32 A

100 V

N

130 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

25 W

25 W

9.22(Max)

IRHMS67160SCV
IRHMS67160SCV
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

45

11@12V

170(Max)@12V

8877@25V

208000

20(Max)

125(Max)

75(Max)

35(Max)

-55

150

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

通孔

活跃

3

Single

N

AOCA32106E
AOCA32106E
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

10-SMD, No Lead

10-AlphaDFN (1.84x1.96)

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Unknown

Unknown

Tape & Reel (TR)

AOCA32106

25A (Ta)

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

-

活跃

MOSFET (Metal Oxide)

2 N-Channel

2.8W (Ta)

3.4Ohm @ 5A, 4.5V

1.1V @ 250µA

-

23nC @ 4.5V

12V

Standard

JANSR2N7585U2
JANSR2N7585U2
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

出口接触方式

无

无

250

2500000

活跃

N

JANSG2N7269
JANSG2N7269
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

110@12V

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

200

±20

26

170(Max)@12V

4700@25V

150000

140(Max)

140(Max)

140(Max)

33(Max)

-55

150

Military

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

13.84(Max)

3

Tab

TO-254-AA

TO-254AA

通孔

活跃

3

Single

N

IRHNJ597Z30SCS
IRHNJ597Z30SCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

不合规

出口接触方式

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

30

±20

22

70@12V

45(Max)@12V

1670@25V

75000

70(Max)

100(Max)

50(Max)

25(Max)

-55

150

表面贴装

2.61(Max)

10.28(Max)

7.64(Max)

3

SMD

SMD-0.5

No Lead

活跃

3

Single

P

IRFC130NB
IRFC130NB
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

Die

Die

Infineon Technologies

Obsolete

供应商未确认

EAR99

无

无

HEXFET

100

87

121

Die

Die

Bulk

17A

10V

-

-

HEXFET®

Obsolete

MOSFET (Metal Oxide)

-

90mOhm @ 17A, 10V

-

100 V

-

-

IRHF597230SCS
IRHF597230SCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3

TO-205-AF

TO-39

通孔

不合规

出口接触方式

无

无

200

4.5

250000

通孔

4.54(Max)

活跃

3

P

9.22(Max)

IRHMB6S7260SCS
IRHMB6S7260SCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

13.84(Max)

3

Tab

TO-254AA

供应商未确认

无

无

200

45

2080000

通孔

13.84(Max)

6.6(Max)

活跃

3

N

JANSH2N7469U2
JANSH2N7469U2
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12@12V

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

75

160(Max)@12V

6440@25V

250000

50(Max)

125(Max)

75(Max)

35(Max)

-55

150

Military

表面贴装

3.07(Max)

17.65(Max)

13.46(Max)

3

SMD

SMD-2

不合规

出口接触方式

活跃

3

Single

N

IXFA30N60X
IXFA30N60X
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-263-3

N-Channel

+ 150 C

- 30 V, + 30 V

- 55 C

SMD/SMT

Enhancement

56 nC

155 mOhms

30 A

Compliant

无

无

600 V

2.5 V

500 W

NRND

Si

1 Channel